半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括**物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。**污染包括光刻胶、**溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等,严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如等,引起严重漏电;颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、**胶体纤维等,乐山硅片清洗剂,会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。
在米粒大的硅片上,已能集成16万个晶体管。这是何等精细的工程!这是多学科协同努力的结晶,是科学技术进步的又一个里程碑。地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量较丰富的元素之一,对太阳能电池这样注定要进入大规模市场(mass market)的产品而言,硅片清洗剂厂家,储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。
化学清洗:化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染,方法较多,有溶剂萃取、酸洗(酸、、、各种混合酸等)和等离子体法等。其中体系清洗方法效果好,环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性,将**物分解而除去;